ddr和sdr的區別

目前比較流行的內存模塊主要是這三種：SDR、DDR、RAMBUS。 其中，RAMBUS存儲器採用阻抗可控的串行連接技術。 我們不會在這裡進一步討論。 本文總結的內存設計技術是針對SDRAM（包括SDR和DDR）。 下面簡單對比一下SDR和DDR，它們都叫同步動態內存，核心技術是一樣的。 只是DDR在某些功能上做了改進，所以DDR有時也被稱為SDRAM II。 DDR的全稱是Double Data Rate，是數據傳輸速率的兩倍，但是它的時鐘頻率並沒有增加，而是可以利用時鐘的上升沿和下降沿來讀寫數據。 對於SDR，市面上常見的模塊主要有PC100/PC133/PC166，對應的DDR內存有DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。

DDR 和 SDR 之間的一些具體區別：
電壓和接口電路不同。 SDR一般採用3.3V LVTTL或SSTL_3接口，而DDR採用2.5V SSTL_2低壓數字接口，DDRII採用1.8V SSTL_18接口。
DDR芯片內部加入ZA DLL（Delay Locked Loops），數據通過數據門DQS（數據選通）精確定位。
Z DDR可以利用時鐘的上升沿和下降沿來讀寫數據，其本質就是利用DQS信號的上升沿和下降沿來發送和接收數據。
Z DDR 的輸入阻抗低於 SDR。
Z DDR有一個參考電壓VREF，數字信號的狀態由信號電壓與參考電壓的差值決定。
DDR的DM只在寫操作時有效，而SDR中的DQM信號在讀操作和寫操作時有效。
Z DDR採用差分時鐘信號傳輸，可以更好的保證信號質量和時序。
接口與主板不同。 例如，對於 DIMM，SDR 有 168 個引腳，而 DDR 有 184 個引腳。 SODIMM 和 UDIMM 也不同。

由於SDR和DDR在某些特性上的差異，我們在設計這兩種類型的內存模塊時考慮了不同的因素。 在接下來的章節中，我們將詳細闡述這兩種內存模塊的設計細節。 雖然目前市場仍以SDRAM和DDR為主，但各大內存模組公司已經開始對DDRII進行研究，JEDEC也成立了專門的Task Group開始製定新規則。 可以大膽預測，明年（2003年）DDRII將出現在市場上，到2004年DDRII將逐漸開始成為內存市場的主導。 DDRII的基礎知識和設計
計算理論可以在相關文件中找到。

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