場效應晶體管與雙極晶體管的不同之處在於它們僅與電子或空穴之一一起工作。 按結構和原理可分為：
. 結型場效應管
. MOS型場效應管
1. Junction FET（結型場效應管）
1) 原理
如圖所示，N溝道結型場效應晶體管具有N型半導體被P型半導體的柵極從兩側箝位的結構。 當反向電壓施加到 PN 結時產生的耗盡區用於電流控制。
當在 N 型晶區的兩端施加直流電壓時，電子從源極流向漏極。 電子通過的溝道寬度由從兩側擴散的 P 型區域和施加到該區域的負電壓決定。
當負柵極電壓加強時，PN結的耗盡區向溝道延伸，溝道寬度減小。 因此，可以通過柵電極的電壓來控制源漏電流。
2）使用
即使柵極電壓為零，也有電流流動，因此由於低噪聲，它被用於恆流源或音頻放大器。
2. MOS型場效應管
1) 原理
即使在金屬（M）和半導體（S）夾著氧化膜（O）的結構（MOS結構）中，如果在（M）和半導體（S）之間施加電壓，也可以形成耗盡層生成。 此外，當施加更高的電壓時，電子或空穴可以在氧綻放膜下積累，形成反型層。 MOSFET 用作開關。
在工作原理圖中，如果柵極電壓為零，PN結將斷開電流，使電流不會在源極和漏極之間流動。 如果對柵極施加正電壓，P型半導體的空穴就會從氧化膜——柵極下方的P型半導體表面排出，形成耗盡層。 而且，如果再次增加柵極電壓，電子會被吸引到表面形成較薄的N型反型層，從而使源極引腳（N型）和漏極（N型）相連，允許電流流動 。
2）使用
由於其結構簡單、速度快、柵極驅動簡單、破壞力強等特點，再加上採用微細加工技術，可以直接提高性能，因此廣泛應用於從LSI基礎器件到功率器件的高頻器件（電力控制裝置）等領域。
3. 常見的現場實用管
1) MOS場效應管
即金屬氧化物半導體場效應管，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor
場效應晶體管），這是一種絕緣柵類型。 其主要特點是金屬柵極與溝道之間有二氧化矽絕緣層，因此具有非常高的輸入電阻（最高可達1015Ω）。 又分為N溝道管和P溝道管，符號如圖1所示。通常襯底（substrate）和源極S連接在一起。 根據導通方式的不同，MOSFET分為增強型、
消耗型。 所謂增強型是指：當VGS=0時，管子處於關斷狀態，加上正確的VGS後，大部分載流子被吸引到柵極，從而“增強”該區域的載流子，形成導電通道。
耗盡型是指當VGS=0時形成通道，當加入正確的VGS時，大部分載流子可以流出通道，從而“耗盡”載流子並關閉管子。
以N溝道為例，在P型矽襯底上製作，具有兩個高摻雜濃度的源擴散區N+和漏擴散區N+，然後分別引出源極S和漏極D。 源極與基板內部連接，兩者始終保持相同的電
少量。 圖1（a）中符號的正面方向是從外到電，即從P型材料（襯底）到N型溝道。 當漏極接電源正極，源極接電源負極且VGS=0時，溝道電流（即漏極電流
流）ID=0。 隨著VGS的逐漸增大，在柵極正電壓的吸引下，兩個擴散區之間感應出帶負電荷的少數載流子，形成從漏極到源極的N型溝道。 當VGS大於管的導通電壓VTN（一般在+2V左右）時，N溝道管開始導通，形成漏電流ID。
MOS場效應管更“吱吱”。 這是因為它的輸入電阻很高，柵極和源極之間的電容很小，很容易受到外部電磁場或靜電感應的影響，在上面可以形成少量電荷。電極之間的電容。
到很高的電壓（U=Q/C），管子會損壞。 因此，在出廠時將引腳扭在一起，或安裝在金屬箔中，使G極和S極處於同一電位，以防止靜電荷積聚。 管子不使用時，使用時所有電線也應短接。 測量時要格外小心，並採取相應的防靜電措施。
2）MOS場效應管的檢測方法
(1). 準備工作 測量前，在接觸 MOSFET 的引腳之前，將人體短接到地。 最好在手腕上接一根電線與大地相連，使人體與大地保持等電位。 再次分離針腳，然後拆下電線。
(2). 測定電極
將萬用表撥到R×100檔，先確定格子。 如果一個管腳和其他管腳的電阻都是無窮大，證明這個管腳是柵極G。換錶筆重新測量，SD之間的電阻值應該是幾百歐到幾千歐
哦，阻值小的地方黑表筆接D極，紅表筆接S極。 對於日本產的3SK系列產品，S極是接在外殼上的，所以很容易確定S極。
(3). 檢查放大能力（跨導）
將G極懸空，黑色表筆接D極，紅色表筆接S極，然後用手指觸摸G極，針應該有較大的偏轉。 雙柵極 MOS 場效應晶體管有兩個柵極 G1 和 G2。 用手摸一下就能分辨出來
G1和G2極，G2極是表針向左偏轉較大的那個。 目前有些MOSFET管已經在GS極之間加了保護二極管，不需要每個管腳短路。
3）MOS場效應管使用注意事項。
MOS場效應管在使用時要分類，不能隨意互換。 MOS場效應管由於其高輸入阻抗（包括MOS集成電路），很容易被靜電擊穿。 使用時要注意以下規則：
MOS器件出廠時通常採用黑色導電泡沫塑料袋包裝。 請勿將它們單獨裝入塑料袋中。 您也可以使用細銅線將引腳連接在一起，或將它們包裹在錫箔中
取出的MOS器件不能在塑料板上滑動，用金屬板固定要使用的器件。
烙鐵必須良好接地。
焊接前應將電路板的電源線與地線短接，焊接完成後再將MOS器件分離。
MOS器件各管腳的焊接順序為漏、源、柵。 拆卸機器時，順序相反。
安裝電路板前，用接地線夾接觸機器的端子，然後連接電路板。
MOS場效應管的柵極在允許的情況下優選連接保護二極管。 檢修電路時，注意檢查原保護二極管是否損壞。
4) VMOS場效應管
VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，全稱V型槽MOS場效應管。 是繼MOSFET之後新開發的高效率、功率開關
件。 它不僅繼承了MOS場效應管的高輸入阻抗（≥108W）、小驅動電流（約0.1μA），而且具有高耐壓（高達1200V）和大工作電流
（1.5A～100A）、高輸出功率（1～250W）、跨導線性好、開關速度快等優良特性。 正是因為它將電子管和功率晶體管的優點合二為一，所以電壓
放大器（電壓放大可達數千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器得到廣泛應用。
眾所周知，傳統MOS場效應管的柵極、源極、漏極都在一個芯片上，柵極、源極、漏極大致在同一水平面上，其工作電流基本沿水平方向流動。 VMOS管不同，從左下圖可以
可以看出兩大結構特點：一是金屬柵極採用V型槽結構； 其次，它具有垂直導電性。 由於漏極是從芯片背面引出的，因此 ID 不會沿芯片水平流動，而是重摻雜了 N+
從區域（源極S）開始，通過P溝道流入輕摻雜N漂移區，最後垂直向下到達漏極D。 電流的方向如圖中箭頭所示，因為流動的截面積增加了，所以可以通過大電流。 因為在門口
極柱和芯片之間有二氧化矽絕緣層，所以還是絕緣柵MOS場效應管。
國內VMOS場效應管主要廠家有877廠、天津半導體器件四廠、杭州電子管廠等，典型產品有VN401、VN672、VMPT2等。
5) VMOS場效應管的檢測方法
(1). 確定網格G。將萬用表置於R×1k位置，測量三個引腳之間的電阻。 如果發現一個管腳和它的兩個管腳的電阻都是無窮大，換錶筆後仍然是無窮大，證明這個管腳是G極，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。
(2). 確定源極S和漏極D 從圖1可以看出，源極和漏極之間有一個PN結。 因此，根據PN結正反向電阻的差異，可以識別S極和D極。 用交流表筆法測兩次電阻，電阻值較低的那一個（一般幾千歐到萬歐）就是正向電阻。 此時黑色表筆為S極，紅色表筆接D極。
(3). 測量漏源通態電阻 RDS(on) 使 GS 極短路。 選擇萬用表的 R×1 檔位。 將黑色表筆連接到 S 極，將紅色表筆連接到 D 極。 電阻應該在幾歐姆到十幾歐姆之間。
由於測試條件不同，測得的RDS(on)值高於手冊中給出的典型值。 例如IRFPC50 VMOS管用500型萬用表R×1檔測量，RDS
(On)=3.2W，大於0.58W（典型值）。
(4). 檢查跨導。 將萬用表置於 R×1k（或 R×100）位置。 紅色表筆接S極，黑色表筆接D極。 拿著螺絲刀接觸網格。 針應該顯著偏轉。 偏轉越大，管子的偏轉越大。 跨導越高。
6）注意事項：
VMOS管也分為N溝道管和P溝道管，但大部分產品都是N溝道管。 對於 P 通道管，測量時應更換錶筆的位置。
GS 之間有少量帶保護二極管的 VMOS 管，此檢測方法中的第 1 項和第 2 項不再適用。
目前市場上也有VMOS管功率模塊，專門用於交流電機調速器和逆變器。 比如美國IR公司生產的IRFT001模塊，內部有三個N溝道和P溝道管，形成三相橋式結構。
市場上的VNF系列（N溝道）產品是美國Supertex公司生產的超高頻功率場效應晶體管。 其最高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號低頻跨導gm=2000μS。 適用於高速開關電路和廣播通訊設備。
使用VMOS管時，必須加一個合適的散熱片。 以VNF306為例，安裝30×140×140（mm）散熱器後最大功率可達4W。
7) 場效應管與晶體管的比較
場效應管是電壓控制元件，晶體管是電流控制元件。 當只允許從信號源汲取較少電流時，應使用 FET； 當信號電壓低，允許從信號源汲取更多電流時，應使用晶體管。
場效應晶體管利用多數載流子導電，因此稱為單極器件，而晶體管同時具有多數載流子和少數載流子導電。 它被稱為雙極器件。
一些場效應晶體管的源極和漏極可以互換使用，柵極電壓也可以為正或負，比晶體管更靈活。
場效應管可以在很小的電流和很低的電壓下工作，其製造工藝可以很容易地將許多場效應管集成在一個矽芯片上，因此場效應管已被用於大規模集成電路中。 應用範圍廣泛。
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多遠（長）發射機蓋？
傳輸範圍取決於許多因素。 真正的距離是基於該天線安裝高度，天線增益，使用環境像建築物和其他障礙物，接收機的靈敏度，接收機的天線。 安裝天線更高，並使用在農村，距離將更為深遠。
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0.1W〜5W FM發射器：100M〜1KM
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15W〜80W FM發射器：3KM〜10KM
80W〜500W FM發射器：10KM〜30KM
500W〜1000W FM發射器：30KM〜50KM
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