DDR2和DDR之間的區別

在相同的核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這是由於DDR2內存具有兩倍於標準DDR內存的4BIT預讀取能力的事實。換句話說，儘管DDR2與DDR一樣，在時鐘上升延遲和下降延遲的同時使用了基本的數據傳輸方法，但DDR2具有DDR預先讀取系統命令數據的能力的兩倍。換句話說，在相同的100MHz工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2可以達到400MHz。

這樣，就會出現另一個問題：在具有相同工作頻率的DDR和DDR2內存中，後者的內存等待時間比前者要慢。例如，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而後者俱有兩倍的帶寬。實際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，均為3.2GB / s，但是DDR400的核心工作頻率為200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率為100MHz，這意味著DDR2的延遲。 -400高於DDR400。

DDR2內存技術的最大突破實際上並不是用戶認為DDR的傳輸容量是兩倍，而是DDR2具有較低的發熱量和較低的功耗，因此可以實現更快的頻率增加和突破。標準DDR的400MHZ限制。

DDR內存通常封裝在TSOP芯片中。該封裝可以在200MHz下很好地工作。當頻率較高時，其長引腳會產生高阻抗和寄生電容，從而影響其性能。穩定性和頻率改善的難度。這就是為什麼DDR核心頻率難以突破275MHZ的原因。 DDR2存儲器採用FBGA封裝形式。與目前廣泛使用的TSOP封裝不同，FBGA封裝具有更好的電氣性能和散熱性能，為DDR2存儲器的穩定運行和未來頻率的發展提供了良好的保證。

DDR2內存使用1.8V電壓，該電壓大大低於DDR標準的2.5V，從而顯著降低了功耗並減少了發熱量。此更改意義重大。

除了上述差異之外，DDR2還引入了三種新技術，它們是OCD，ODT和Post CAS。

①OCD（片外驅動程序）：這就是所謂的離線驅動程序調整。 DDR II可以通過OCD改善信號完整性。 DDR II調整上拉/下拉電阻值以使兩個電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜度來改善信號完整性；通過控制電壓來改善信號質量。

②ODT：ODT是內置內核的終端電阻。我們知道在使用DDR SDRAM的主板上需要大量的終端電阻，以防止數據線端子反射信號。這大大增加了主板的製造成本。實際上，不同的存儲模塊對端接電路有不同的要求。終端電阻的大小決定了數據線的信號比和反射率。如果終端電阻很小，則數據線信號反射低，但信噪比也低；如果終端電阻很高，則數據線的信噪比將很高，但信號反射也會增加。因此，主板上的終端電阻不能很好地匹配內存模塊，並且會在一定程度上影響信號質量。 DDR2可以根據自身特性內置合適的終端電阻，以確保最佳信號波形。使用DDR2不僅可以降低主板成本，而且可以獲得最佳的信號質量，這是DDR無法比擬的。

③Post CAS：設置為提高DDR II內存的利用率。在Post CAS操作中，可以在RAS信號之後的一個時鐘週期插入CAS信號（讀/寫/命令），並且在附加延遲（附加延遲）之後，CAS命令可以保持有效。原始的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（附加延遲）代替，可以將其設置為0、1、2、3、4。由於CAS信號位於RAS信號之後一個時鐘週期，因此ACT CAS信號將永遠不會發生碰撞。

總的來說，DDR2使用了很多新技術來改善DDR的很多缺點。雖然目前在成本高、時延慢等方面存在諸多不足，但相信隨著技術的不斷完善和完善，這些問題終將得到解決。

DDR2存儲器的起始頻率將從400Mhz開始，這是DDR存儲器的最高標準頻率。現在將可以產生的頻率定義為支持533Mhz至667Mhz。標準工作頻率為200/266 / 333MHz，工作電壓為1.8V。 DDR2使用新定義的240 PIN DIMM接口標準，該標準與現有DDR 184PIN DIMM接口標準完全不兼容。這意味著所有現有的具有DDR標準接口的主板都不能使用DDR2內存。這將成為DDR2內存標準普及的主要障礙。幸運的是，INTEL的下一代平台將完全支持240PIN DDR2接口，從而為2年DDR2005的普及奠定了基礎。

相信大家已經看到，市面上已經推出了多款採用DDR2顯存的顯卡產品。但是，顯卡上使用的DDR2內存的生產標準和方法與桌面系統應用上使用的DDR2技術完全不同。本文暫時不做詳細區分，但是大家應該清楚為什麼大量的應用程序已經在顯卡上可用，而桌面系統卻沒有。

與上一代標準DDR技術相比，DDR2內存技術使用了一種簡單明了的方式。儘管DDR2與DDR一樣，在時鐘上升延遲和下降延遲的同時使用了基本的數據傳輸方法，但最大的區別在於DDR2存儲器可以執行4位預讀取。標準DDR內存的2BIT預讀的兩倍，這意味著DDR2的容量是預讀系統命令數據的兩倍。我已經理解了我的想法，因此，DDR2完全獲得了DDR兩倍的完整數據傳輸容量。因此，作者告訴您DDR2 400Mhz也被命名為PC3200，請繼續閱讀，為什麼？

DDR2內存技術的最大突破點實際上並不是評委認為是DDR兩倍的傳輸容量，而是以更低的熱量產生和更低的功耗實現了更快的頻率增加。突破標準DDR的400MHZ限制。似乎這更神奇，突破了最大頻率限制，甚至減少了發熱量和功耗？儘管DDR2技術還使用了幾種新技術來完成上述功能，但關鍵在於4BIT的預讀取功能。作者將帶您一步一步。

除了已發布的三個DDR2內存標準的頻率和帶寬外，值得注意的是DDR2 400Mhz和DDR400Mhz具有3.2GB的相同帶寬。此外，借助雙通道內存技術，667MHZ DDR2將提供高達10.6GB / S的驚人帶寬！

DDR2內存的初始容量為256MB，最大為512MB，1G。在桌面系統上提供足夠的容量保證。從理論上講，DDR2內存顆粒的高密度功能可以支持最大4G或更高的容量，這在專業領域已得到廣泛使用。在未來幾年中，它甚至可能為PC系統帶來nGB級的超級容量。

DDR2 標準規定所有 DDR2 存儲器都採用 FBGA 封裝。不同於廣泛使用的 TSOP 和d TSOP-II封裝，FBGA封裝提供了更好的電氣性能和散熱性能，為DDR2內存的穩定運行和未來頻率的發展提供了很好的保障。目前顯卡上的DDR2顯存顆粒全部採用FBGA封裝方式。 DDR2內存使用1.8V電壓，遠低於DDR標準的2.5V，因此功耗和發熱量明顯降低。這個變化意義重大，也讓DDR2內存更適合筆記本和筆記本。既然能在這麼低的電壓下工作，那怎麼實現頻率的提升呢？

眾所周知，內存的基本工作步驟分為：從系統中預讀取數據→保存在內存單元隊列中→傳輸到內存I / O緩衝區→傳輸到CPU系統進行處理。

DDR內存使用200MHZ的核心頻率，該頻率通過兩條路徑同步傳輸到I / O緩存，這是達到400MHZ的實際頻率。

DDR2使用100MHZ的核心頻率，它通過400條傳輸路徑同步傳輸到I / O緩衝區，並且也達到了XNUMXMHZ的實際頻率。

聰明的地方法官已經看到了這個謎。正是因為DDR2可以預讀4BIT數據，所以可以使用四路傳輸，並且因為DDR只能預讀2BIT數據，所以它只能使用兩條200MHZ傳輸線來達到400MHZ。這樣，DDR2可以在不降低總頻率的情況下將核心頻率完全降低到100MHZ，因此可以輕鬆實現更小的散熱和更低的電壓要求。此外，可以進一步提高核心頻率，以達到133 * 4、166 * 4，最大200 * 4即可達到800MHZ。但是，每個人都知道較低的內存延遲可以帶來更高的性能。然後，在DDR2中，為了確保4通道傳輸的穩定性和平滑性並避免電氣乾擾和數據衝突，使用比DDR稍大的內存。延遲設置。我相信聰明的法官也可以看到這實際上是一個有遠見的設計。

在了解了DDR II的技術原理之後，讓我們看一下DDR II的三個主要新功能：它們是OCD，ODT和Post CAS。

OCD（片外驅動器），一個lso 稱為離線驅動調整，DDR II 可以通過 OCD 提高信號完整性。 DDR II 調整上拉/下拉電阻值，使兩個電壓相等。即，上拉=下拉。使用 OCD 通過減少 DQ-DQS 的傾斜來提高信號完整性；通過控制電壓來提高信號質量。

ODT是內置內核的終端電阻。我們知道在使用DDR I SDRAM的主板上需要大量的端接電阻，每條數據線至少需要一個端接電阻，這對於主板來說並不是一個小數目。在信號線上使用終端電阻是為了防止數據線端子反射信號，因此需要具有一定電阻的終端電阻。該電阻太大或太小。電阻較大的電路的信噪比較高，但信號反射較嚴重。小電阻可以減少信號反射，但會導致信噪比下降。另外，由於不同的存儲模塊可能沒有完全相同的終端電阻要求，因此主闆對存儲模塊也比較挑剔。

DDR II具有一個內置的終端電阻，當DRAM顆粒工作時，該端子將關閉終端電阻；對於不工作的DRAM顆粒，其將接通終端電阻以減少信號反射。 ODT為DDR II帶來了至少兩個好處。一是消除了主板上的終端電阻，降低了主板的成本，並使PCB板的設計更加容易。第二個優點是終端電阻器可以匹配存儲顆粒的“特性”，從而使DRAM處於最佳狀態。

在CAS之後，將其設置為提高DDR II內存的利用率。在Post CAS操作中，可以在RAS信號之後的一個時鐘週期插入CAS信號（讀/寫/命令），並且在附加延遲（附加延遲）之後，CAS命令可以保持有效。原始的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（附加延遲）代替，可以將其設置為0、1、2、3、4。由於CAS信號位於RAS信號之後一個時鐘週期，因此ACT CAS信號將永遠不會發生碰撞。

正常運行時，此時的各種內存參數為：tRRD=2，tRCD=4，CL=4，AL=0，BL=4（BL為突發數據長度，Burst Length）。我們看到tRRD（從RAS到RAS的延遲）是兩個時鐘週期，tRCD（從RAS到CAS的延遲）是四個時鐘週期，所以ACT（段激活）和CAS信號在第四個時鐘週期發生衝突。 , ACT 向後移動一個時鐘週期，因此可以看到在後續數據傳輸中間有一個 BUBBLE 的時鐘週期。

讓我們看一下Post CAS的操作。此時的存儲參數為：tRRD = 2，tRCD = 4，CL = 4，AL = 3，BL = 4。 RAS是在ACT信號之後的一個時鐘週期內設置的，因此CAS和ACT不會發生衝突，tRCD被AL取代（實際上，您可以想像tRCD並未減少，但在概念上有所改變，CAS向後退了一個時鐘週期，但AL短於tRCD，可以通過調整來消除信號命令的衝突），並且DRAM在附加延遲期間保持讀取命令。由於這種設計，ACT和CAS將不再衝突，並且在存儲器讀取時序中不會出現任何氣泡。

1.可以輕鬆消除命令總線上的碰撞現象
2.提高命令和數據總線的效率
3.沒有Bubble，可以提高實際的內存帶寬

另外一個普通的DOTHAN FSB是533，也就是說DDR533的內存剛好可以滿足內存帶寬，但是現在的筆記本DDR1最多只有DDR400，一般333是滿足不了DOTHAN的FSB的。這時，內存成為系統的瓶頸。 915平台出來後可以支持DDR2雙通道DDR2從400開始到533。

此時，您可能已經發現實際上單通道DDR2 533可以完全滿足DOTHAN的FSB，也就是說，DDR2 533具有雙通道，只有FSB = 1066 CPU可以匹配它。在INTEL1066FSB U問世之前，DDR2 533雙通道基本上是浪費，因此DDR2雙通道帶給Sonama平台的性能提升很小。 DOTHAN已成為Sonama系統的瓶頸。對性能要求不高的朋友無需在雙通道DDR2上花錢。

多遠（長）發射機蓋？

傳輸範圍取決於許多因素。真正的距離是基於該天線安裝高度，天線增益，使用環境像建築物和其他障礙物，接收機的靈敏度，接收機的天線。安裝天線更高，並使用在農村，距離將更為深遠。

實例5W FM發射器在城市和家鄉使用：

我有GP天線的美國客戶使用5W調頻發射器在他的家鄉，他與汽車進行測試，它涵蓋10km（6.21mile）。

我測試與GP天線5W FM發射器在我的家鄉，它覆蓋約2km（1.24mile）。

我測試在廣州市GP天線5W FM發射，它覆蓋大約只有300meter（984ft）。

下面是不同的功率調頻發射機的大致範圍。（範圍為直徑）

0.1W〜5W FM發射器：100M〜1KM

5W〜15W FM Ttransmitter：1KM〜3KM

15W〜80W FM發射器：3KM〜10KM

80W〜500W FM發射器：10KM〜30KM

500W〜1000W FM發射器：30KM〜50KM

1KW〜2KW FM發射器：50KM〜100KM

2KW〜5KW FM發射器：100KM〜150KM

5KW〜10KW FM發射器：150KM〜200KM

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