什麼是射頻LDMOS晶體管

DMOS主要有兩種類型，垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管VDMOSFET（vertical double diffused MOSFET）和橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管LDMOSFET（lateral double-dif fused MOSFET）。 LDMOS 被廣泛採用，因為它更容易與 CMOS 技術兼容。 LDMOS

　　LDMOS（橫向擴散金屬氧化物半導體）
LDMOS 是一種雙擴散結構的功率器件。這種技術是在同一源漏區進行兩次注入，一次注入較大濃度的砷（As）（典型注入劑量為1015cm-2），另一次注入較小濃度的硼（典型注入劑量為1013cm-2))。 B)。植入後，進行高溫推進過程。由於硼比砷擴散得快，它會在柵極邊界（圖中的P-well）下沿橫向進一步擴散，形成一個具有濃度梯度的溝道，其溝道長度由兩個橫向擴散距離的差值決定. 為了提高擊穿電壓，有源區和漏區之間有一個漂移區。 LDMOS 中的漂移區是此類器件設計的關鍵。漂移區的雜質濃度相對較低。因此，當LDMOS接高電壓時，漂移區由於其電阻高，可以承受更高的電壓。圖1所示的多晶LDMOS延伸至漂移區的場氧，起到場板的作用，減弱漂移區的表面電場，有助於提高擊穿電壓。場板的尺寸與場板的長度密切相關[6]。要使場板充分發揮作用，一是要設計SiO2層的厚度，二是要設計好場板的長度。

LDMOS器件具有襯底，並且在襯底中形成源極區和漏極區。在源極區和漏極區之間的襯底的一部分上提供絕緣層，以提供絕緣層和襯底表面之間的平面界面。然後，在絕緣層的一部分上形成絕緣構件，並且在絕緣構件和絕緣層的一部分上形成柵極層。通過使用這種結構，發現有一條直的電流路徑，可以在保持高擊穿電壓的同時降低導通電阻。

LDMOS與普通MOS管的主要區別有兩個：1、採用LDD結構（或稱漂移區）； 2. 通道由兩個擴散的橫向結深度控制。

一、LDMOS的優勢

• 卓越的效率，可降低功耗和冷卻成本

• 出色的線性度，可以最大限度地減少對信號預校正的需求

• 優化超低熱阻，可減少放大器尺寸和冷卻要求並提高可靠性

• 出色的峰值功率能力、高 3G 數據速率和最小的數據錯誤率

• 高功率密度，使用更少的晶體管封裝

• 超低電感、反饋電容和串柵極阻抗，目前允許 LDMOS 晶體管在雙極器件上提供 7 bB 增益改進

• 直接源接地可提高功率增益並消除對 BeO 或 AIN 隔離物質的需要

• GHz 頻率下的高功率增益，從而減少設計步驟、更簡單且更具成本效益的設計（使用低成本、低功率驅動晶體管）

• 優異的穩定性，由於負漏電流溫度恆定，因此不受熱損失的影響

• 與雙載波相比，它可以更好地承受更高的負載失配 (VSWR)，提高了現場應用的可靠性